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晶亦精微申请CMP设备抛光垫厚度实时检测专利, 提高抛光效率

发布日期:2025-02-04 08:57:18 点击次数:119

金融界2025年1月25日消息,国家知识产权局信息显示,北京晶亦精微科技股份有限公司申请一项名为“一种CMP设备抛光垫厚度实时检测方法及CMP设备”的专利,公开号CN119347631A,申请日期为2024年10月。

专利摘要显示,本发明涉及一种CMP设备抛光垫厚度实时检测方法及CMP设备。CMP设备抛光垫厚度实时检测方法包括:在对晶圆进行CMP研磨工艺的同时,利用CMP修整器对抛光垫进行修整;通过所述CMP修整器实时获取所述抛光垫的厚度减薄量和所述CMP修整器的下压力值;基于所述抛光垫的厚度减薄量计算所述抛光垫的厚度;当所述下压力值大于预设下压力值时,调整所述CMP研磨工艺的参数,或者:当所述抛光垫的厚度小于预设厚度时,调整所述CMP研磨工艺的参数。本发明提供的CMP设备抛光垫厚度实时检测方法可以提高抛光垫使用寿命判断的准确性,进而提高研磨质量和晶圆抛光的良品率,同时提升抛光效率。

天眼查资料显示,北京晶亦精微科技股份有限公司,成立于2019年,位于北京市,是一家以从事科技推广和应用服务业为主的企业。企业注册资本16646.135万人民币,实缴资本16646.135万人民币。通过天眼查大数据分析,北京晶亦精微科技股份有限公司参与招投标项目51次,知识产权方面有商标信息15条,专利信息342条,此外企业还拥有行政许可8个。

本文源自:金融界